Silisyum Karbür Plaka Çift Yüzey Taşlama Makinası Çözüm

Makine Modeli: YHDM580B Çift Diskli Öğütücü - Çevrim Taşlama Yöntemi

İş parçası: Silisyum Karbür Plaka (SiC)

Gereksinim: 7.150±0.002mm，Düzlük/Paralellik＜0.01mm，Pürüzlülük Ra＜0.9

Silisyum Karbür (SiC), gelişmiş endüstrilerde yaygın olarak kullanılan, mekanik, termal, elektriksel ve kimyasal özelliklere sahip inorganik bir malzemedir. Ancak SiC seramiğinin yüksek sertlik, yüksek mukavemet, aşınma direnci, aşırı kırılganlık ve kimyasal stabilite gibi faydalı özellikleri, SiC'nin geleneksel ve geleneksel olmayan işleme yöntemleriyle işlenmesini zor ve maliyetli hale getirmektedir. Elmas taşlama çarkı, yüzey morfolojisini ve bitirme işlemini etkilemeyen yüksek MRR üretir. SiC'nin taşlama performansı sırasında taşın ve iş parçasının malzeme özellikleri yüzey pürüzlülüğünü tahmin etmede önemli bir faktördür. Bilgisayarlı nümerik kontrollü taşlama tezgahında metal bağlı elmas takımlar kullanılarak düşük hasar oluşturuldu. Mikro yapısal heterojenlik SiC'nin delme ve taşlama hızlarını önemli ölçüde artırır. Dinamik kırılma tokluğundaki artış, yüksek hızlı taşlama işleminde daha iyi yüzey kalitesine sahip SiC'nin yüksek MRR'sine neden oldu. Bağlı aşındırıcı taşlar uygulanarak yapılan taşlama yöntemlerinde, SiC aynalarında düşük yüzey pürüzlülüğü ve yüksek şekil doğruluğu elde edildi. Yüksek iş parçası hızı ve yükseltilmiş taşlama çarkının hızının birleşimi, yüksek hızlı silindirik taşlama işlemi sırasında gözlemlenen faz dönüşümünü azaltabilir.